На Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung рассказала о новом шаге в направлении снижения технологических стандартов. Он представил 256-Гигабитный кристалл памяти SRAM, первый, который был изготовлен в соответствии со стандартами 3 нм.
В этом чипе была использована технология Gate All Around transistor technology (GAAFET), которая предназначена для замены используемой в настоящее время технологии FinFET. Южнокорейский производитель выпустил первые в мире 3-нанометровые GAAFET-транзисторы в январе прошлого года.
Источник напоминает, что существует два варианта технологии GAAFET. В одном каналы выполнены в виде "проводов", а во втором, получившем собственное название MBCFET Multi-Bridge Channel FET), каналы выполнены в виде плоских "мостов".
Описываемый чип использует технологию MBCFET. Площадь кристалла составляет 56 мм2. Использование MBCFET позволило значительно снизить энергопотребление по сравнению с аналогичным чипом на транзисторах FinFET.
Ожидается, что новый 3-нанометровый технологический процесс поступит в массовое производство в 2022 году.
