На мероприятии Hot Chips 33 компания Samsung объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ. По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объем по сравнению с памятью DDR4.
Источник изображения: Samsung
При производстве модуля DDR5-7200 объемом 512 ГБ Samsung использовала восьмислойный стек кристаллов DDR5, объединенных с использованием технологии 3D TSV (сквозной кремниевой сквозной), характеризующейся сквозными соединениями между слоями в любой точке.
Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готового чипа в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм для DDR4. Используя новые технологии наложения слоев, компания смогла уменьшить зазор между кристаллами памяти до 40%, что уменьшило высоту всего стека.
Во время презентации Samsung также объявила, что использовала ту же технологию обновления банка при производстве модуля памяти DDR5-7200. Его особенность заключается в том, что в то время как некоторые банки памяти могут выполнять обновления, другие банки могут быть заняты некоторыми другими операциями. Кроме того, производитель отменил 10% — ное увеличение производительности шины памяти и объявил о поддержке дополнительных схем выравнивания обратной связи по принятию решений (DFE), которые улучшают качество сигнала-они уменьшают отраженный шум в каналах памяти на высоких частотах, что довольно важно при использовании большого количества DIMM и каналов DDR5.
Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение составляет 1,2 В. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным благодаря использованию интегрированных схем управления питанием (PMIC), стабилизатора напряжения, а также технологии металлических ворот высокого качества на плате. Также отмечается, что память DDR5 поддерживает технологию исправления ошибок кода исправления ошибок на кристалле (ODECC).
Память DDR5, представленная Samsung, будет предназначена для центров обработки данных. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут иметь меньший объем — до 64 ГБ на бар. Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ к концу этого года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт оперативной памяти произойдет не ранее 2023-2024 годов.
