На мероприятии HotChips 33 Samsung рассказала больше о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.
В этих модулях используются восьмислойные чипы DRAM. Каждый из них содержит восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных друг с другом с использованием технологии межслойных соединений (Сквозные кремниевые отверстия, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. В то же время, работая при напряжении питания всего 1,1 В, он потребляет на 13% меньше электроэнергии.
В то же время, по данным Samsung, массовый рынок перейдет с DDR4 на DDR5 не ранее 2023 или даже 2024 года. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленные преимущества сопровождаются более высокой ценой. Неудивительно, что суперкомпьютеры и серверы первыми перейдут на DDR5. Южнокорейский производитель подтвердил свое намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце этого года.
