Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с использованием фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания представила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоев, сформированных с использованием EUV, было увеличено до пяти. По словам производителя, это самый передовой технологический процесс в отрасли.
Он обеспечивает максимальную плотность хранения на сегодняшний день, позволяя вам получить примерно на 20% больше памяти с одной пластины. Кроме того, 14-нанометровый технологический процесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением.
По словам Samsung, новая память поможет получить "беспрецедентные скорости" до 7,2 Гбит/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с.
Samsung планирует выпустить новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, планируется увеличить плотность кристаллов до 24 Гбит.
