Samsung планирует построить в США предприятие по выпуску 3-нм чипов

Тайваньская TSMC взяла на себя обязательство построить завод в Аризоне, который, как ожидается, начнет производство 5-нм продукции для местных заказчиков в 2024 году. На строительство планируется потратить 12 миллиардов долларов. Соперник Samsung не собирается уступать TSMC, поэтому он рассматривает возможность строительства завода в Техасе, который будет производить 3-нм продукцию.

Исходное изображение: Bloomberg

Об этом сообщил ресурс Bloomberg со ссылкой на информированные источники. По их данным, Samsung Electronics готова потратить более $10 млрд. на строительство нового завода в Техасе. Заявка на покупку земельного участка, прилегающего к существующему зданию, была подана еще в октябре, из описания следует, что там должны появиться новые производственные мощности. Строительство предприятия может начаться в этом году, оборудование будет поставлено в следующем году, и оно должно заработать в 2023 году, если все пойдет по плану. Это будет первый завод Samsung за пределами Южной Кореи, использующий ультра-твердую ультрафиолетовую (EUV) литографию. Samsung уже имеет два родственных предприятия в Южной Корее. Использование этого класса литографии позволит Samsung первоначально предложить заказчикам 3нм продукцию, превосходящую TSMC как по хронометражу, так и по литографии.

Наличие передовых мощностей в США позволит компании Samsung укрепить партнерские отношения с американскими разработчиками, внимание которых она в настоящее время пытается привлечь, предлагая услуги NVIDIA по производству 8-нанометровых GPU и налаживанию производства 5-нанометровых продуктов для Qualcomm. Представители Samsung поспешили заявить, что никаких решений по этому вопросу пока не принято.

Загрузка ...
PriceMedia