Среди пользователей принято высмеивать целый ряд" плюсов", когда речь идет о 14-нм технических процессах Intel. Но отказ производителей памяти указать технические процессы для чипов DRAM, по-видимому, является еще большей жертвой маркетинговых войн. Производители памяти скрывали точное количество процессов высвобождения памяти в течение одиннадцати лет, но правда иногда выходит наружу, и это шокирует.
Мы впервые услышали о переходе к "классам" при обозначении процесса производства памяти в апреле 2010 года. Тогда Samsung представила концепцию "20-нм класса", заявив об этом в связи с анонсом новой памяти NAND. Это произошло, видимо, по той причине, что технический процесс Samsung начал отставать от конкурентов. Вскоре за Samsung последовали остальные производители, и мы слышали только о классах памяти 20-нм, а позже и 10-нм.
память класса 10 нм доступна с 2013 года. Что это за память-19-нм, 17-нм или меньше-можно было узнать только из неофициальных источников. Ходят слухи, что "Микрон" продвинулся дальше всех по лестнице технологических норм. Она якобы смогла наладить на Тайване либо 14-нм производство DRAM, либо 13-нм. Более того, в январе этого года компания Micron ударила по отрасли как молния, заявив, что она начала пилотное производство чипов памяти со стандартами в "нижней части 10-нм процесса". Это означало, что компания была первой, кто произвел DRAM со стандартами 13 нм или менее.
Такое заявление было вызовом лидеру рынка DRAM, Samsung, и его представители не могли долго молчать. Недавно на ежеквартальной конференции один из топ-менеджеров Samsung признал, что компания начнет выпускать память DRAM со стандартами 14 нм под кодовым названием D1a в конце этого года (скорее всего, во второй половине года). Это признание стало первым за 11 лет, что само по себе подчеркивает интенсивность конкуренции на рынке драмов.
По мнению аналитиков, Samsung было важно дать понять инвесторам, что она не сильно отстает от компании Micron в плане технологического производства чипов DRAM. Более того, по ряду показателей она серьезно опережает "Микрон". Например, Micron по-прежнему использует 193-нм сканеры для производства DRAM, в то время как память поколения Samsung D1a будет производиться в основном с использованием 13,5-нм EUV-сканеров. Но факт остается фактом: в 10-нм классе продуктов Samsung DRAM центр тяжести находился на дальнем конце шкалы.
