Во время ежегодного форума литейного производства Samsung Чой Си Ен рассказал о будущем производстве чипов Samsung и о том, что произойдет с глобальным дефицитом литейного бизнеса. Си-ян, президент и глава литейного бизнеса Samsung, рассказал о планах Samsung по созданию 3- и 2-нм чипов.
Samsung стремится оставаться конкурентоспособной, несмотря на глобальную нехватку комплектующих. Си Янг подтвердил, что Samsung "возглавит самые передовые технологии, сделав шаг вперед в масштабировании кремния". Даже несмотря на нехватку, компания ожидает, что "немногие компании будут оснащены кремнием, чтобы конкурировать на новом фронте масштабирования процессов".
Для начала Samsung планирует начать массовое производство чипов с использованием 2-нм технологии в 2025 году. Смартфоны текущего поколения от Samsung и Apple работают на SOC, построенных по 5-нм технологическому процессу.
Производитель чипов рассчитывает начать производство первых чипов на основе 3-нанометров в первой половине 2022 года. Эти новые чипы должны повысить производительность на 30% и потреблять вдвое меньше энергии благодаря 3-нанометровому узлу universal Gate (GAA). Все это ожидается, в то время как чип занимает на 35 процентов меньше места, чем его 5-нм аналог.
3-Нм чипы будут производиться на заводе Samsung в Пхентхэке, Корея, который в настоящее время расширяется для поддержки более высоких мощностей. Также планируется построить литейный завод в США, хотя подробностей о его расположении немного. Между тем ожидается, что производство второго поколения 3-нм чипов начнется в 2023 году.
