По данным сетевых источников, на этой неделе начался этап монтажа оборудования для производства флэш-памяти NAND на новом заводе Samsung China Semiconductor в городе Сиань, расположенном на северо-западе Китая.
По имеющимся данным, строительство второй очереди завода Samsung будет завершено в ближайшее время, а производство начнется к середине текущего года. Когда вторая очередь завода выйдет на полную мощность, объем производства достигнет 130 тысяч пластин в месяц, что составит 40 % от мирового уровня производства Samsung этого вида продукции. По словам источника, активные поставки оборудования для нового завода Samsung в Сиане начались в середине февраля.
Напомним, что в августе 2017 года Samsung подписала соглашение с местными властями, в соответствии с которым южнокорейская компания объявила об инвестициях в размере 7 миллиардов долларов в строительство второго завода в Сианском комплексе для увеличения производства флэш-памяти NAND с 20 тысяч до 65 тысяч пластин в месяц. Стоит отметить, что это соглашение стало началом второго этапа расширения производства Samsung. В 2012 году компания инвестировала 10 миллиардов долларов в строительство своего первого завода в Сиане, предназначенного для производства полупроводниковых изделий. Строительство первого завода Samsung было завершено за два года, и в мае 2014 года он начал работать.
