Южнокорейская компания Samsung Electronics форсирует запуск третьего завода по производству полупроводников в корейском городе Пхентхэк. Об этом сообщает корейское издание * Pulse* со ссылкой на источники в отрасли.
По словам одного из источников, компания уже заказала производственное оборудование для новой линии. Его особенности указывают на то, что Samsung будет производить чипы памяти DRAM на основе технологии P3 10-нм с использованием EUV-литографии для увеличения объемов производства на пластину, а также чипы флэш-памяти седьмого поколения 3D V-NAND с 176 или более слоями. Указывается, что поставка оборудования ожидается к завершению строительных работ, а именно весной следующего года.
Закладка завода P3 началась в сентябре 2020 года, когда кризис в полупроводниковой промышленности только назревал. По оценкам экспертов, Samsung может потратить от $ 26,7 млрд до $ 44,3 млрд на создание нового производства, когда оно выйдет на полную мощность к 2023 году.
По словам источника, компания еще не решила, будет ли новое предприятие производить полупроводниковую продукцию по контрактным заказам сторонних компаний. Это решение, вероятно, будет зависеть от потенциального масштаба таких заказов.
Также указывается, что Samsung уже сформировала проектную группу для линейки P3. Компания планировала поделиться подробностями о проекте в январе этого года, но отложила это решение. Это связано с тем, что 18 января генеральный директор и фактический глава корейского гиганта Ли Чжэ Ен (Lee Jae-yong) был приговорен к двум годам и шести месяцам тюрьмы по обвинению во взяточничестве.
