Samsung объявила, что во второй половине года собирается показать свой первый потребительский SSD-накопитель на базе флэш-памяти V-NAND седьмого поколения.
Эта флэш-память выделяется 176-слойной конструкцией. Для сравнения, V-NAND шестого поколения состоял из 100 слоев клеток, а первое поколение характеризовалось наличием 23 слоев.
Samsung ожидает, что новое поколение флэш-памяти будет соответствовать требованиям не только интерфейса PCIe 4.0, но и PCIe 5.0 благодаря пропускной способности системы ввода-вывода 2 Гбит/ с.
Кроме того, у компании уже есть работающий чип V-NAND восьмого поколения с более чем 200 слоями ячеек.
