Samsung Electronics представила технологию производства радиочастотных чипов, основанную на 8-нанометровом технологическом процессе. По словам производителя, это последнее дополнение к уже обширному портфелю радиочастотных решений, включая 28-нанометровые и 14-нанометровые технологические платформы. По оценкам южнокорейского гиганта, с 2017 года он отгрузил более 500 миллионов радиочастотных чипов для смартфонов премиум-класса, фактически заняв лидирующие позиции на этом рынке.
В текущей разработке нашла применение новая архитектура Samsung RFeFET. Он значительно улучшил радиочастотные характеристики при меньшем потреблении энергии. По сравнению с 14-нанометровым, 8-нанометровый процесс обеспечивает повышение энергоэффективности на 35% и уменьшение площади кристаллов на 35%. По сути, RFeFET позволяет радиочастотным схемам "догонять" цифровые чипы с точки зрения масштаба.
Ожидается, что эта передовая технология позволит производить однокристальные решения, которые включают в себя все необходимое для построения многоканальных и многоантенных модулей 5G.
